导电电阻率测试仪在基本表的基础上，通过增加控制转换、输入过流保护，精密分流器、精密仪表放大器，实现直流电流（DC-μA.mA）的j确多量程测量。

方阻电阻率测试仪采用范德堡测量原理能解决样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差，提供通讯接口，PC软件数据处理及数据分析.中文或英文语言版本.

物体表面导电电阻率测试仪在基本表的基础上，通过增加控制转换、输入过流保护，精密分流器、精密仪表放大器，实现直流电流（DC-μA.mA）的j确多量程测量。

四探针方阻电阻率测试仪采用范德堡测量原理能解决样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差，提供通讯接口，PC软件数据处理及数据分析.中文或英文语言版本.硅片电阻率测量的标准（ASTM F84）及国标设计制造；GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》.

高绝缘电阻率测试仪高性能全功能超高阻、微电流综合测量仪表，除了覆盖LST-121的全部功能与用途外，其他特点与用途见上述专题介绍。

四探针方阻仪 方阻电阻率测试仪采用范德堡测量原理能解决样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差，提供通讯接口，PC软件数据处理及数据分析.中文或英文语言版本.

LST-331四探针方阻电阻率测试仪采用范德堡测量原理能解决样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差，提供通讯接口，PC软件数据处理及数据分析.中文或英文语言版本.硅片电阻率测量的标准（ASTM F84）及国标设计制造；GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》.

绝缘材料表面体积电阻率测试仪LST-121超高测量范围，量程达到0-2×1018Ω，取代指针式高阻计的*佳仪表。 LST-122 绝缘材料体积电阻和表面电阻率测定仪高性能全功能超高阻、微电流综合测量仪表，除了覆盖LST-121的全部功能与用途外，